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R2RAM







R2RAM
“Radiation Hard Resistive Random-Access Memory”

Coordinatore: Prof. Christian Wenger (IHP)

Durata: 01/01/2015 - 31/12/2017
Finanziamento: €. 1.039.000 (quota IU.NET €. 195.000)
Partecipanti: IHP (Frankfurt Oder, DE), RedCat Devices (Pavia, IT), University of Jyväskylä (Jyväskylä, FI) e IUNET.
Unitą IUNET coinvolte: Universitą di Ferrara e della Calabria. Il Responsabile scientifico interno č il Prof. Piero Olivo.
Descrizione: 
Il progetto si propone di sviluppare una metodologia per lo sviluppo e il progetto di memorie non volatili tolleranti alle radiazioni, basate su processi standard CMOS. Poiché le memorie commerciali al silicio, come le memorie flash, sono suscettibili di guasto sotto irraggiamento, si č individuato un nuovo approccio mirante allo sviluppo di memorie resistive ad accesso casuale (RRAM), che abbiano una forte capacitą di tollerare l’irraggiamento di ioni pesanti e di altre particelle. L’effetto di commutazione delle RAM resistive č determinato da reazioni chimiche di riduzione-ossidazione (REDOX). Pertanto, gli effetti della radiazione non interferiscono con il meccanismo di commutazione, sia in presenza di elevate dosi di irraggiamento, che per eventi singoli. Nelle applicazioni spaziali, le memorie volatili e non volatili sono integrate usando processi e architetture standard. Conseguentemente, il dispositivo finale č tipicamente “rad-tolerant” ma non “rad-hard”, e gli effetti di guasto durante le missioni spaziali sono mitigati con tecniche di correzione di errore e di ridondanza, anche a livello di scheda. L’obiettivo del progetto č quello di fornire una metodologia di progetto di nuove memorie non volatili “rad-hard” dotate di una buona ritenzione, e di ri-programmabilitą ripetuta. Sarą inoltre realizzato un prototipo da 1 Mbit di RRAM per la validazione del metodo proposto.




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NEREID: Nano-Electronics Roadmap for Europe: Identification and Dissemination

Coordinatore: coordinato sotto il profilo amministrativo dal Politecnico di Grenoble e scientificamente da Enrico Sangiorgi.

Durata: 15/11/2015 - 15/11/2019
Finanziamento: 
€€. 1.000.000 (quota IU.NET €€. 47.000)
Partecipanti: 
INPG (Grenoble, FR), SINANO INSTITUTE (Grenoble, FR), EDAC GmbH (Hannover, DE); EPLF (Lausanne, CH); FRAUNHOFER (Munchen, DE); ICN2 (Barcelona, ES); IMEC (Leuven, BE); IUNET (Bologna, IT); CEA (Paris, FR); POLITO (Torino, IT); TYNDALL-UCC (Cork, IR); VTT (Espoo, FL); AENEAS (Paris, FR).    
Unitą IUNET coinvolte: Universitą di Padova. Il Responsabile scientifico interno č il Prof. Gaudenzio Meneghesso.

Descrizione: L’obiettivo del progetto č quello di elaborare una nuova roadmap per la nanoelettronica, focalizzata sui requisiti dell’Industria Europea dei semiconduttori e dei sistemi elettronici, con il coinvolgimento di importanti centri di ricerca europei. Il risultato finale sarą una roadmap per la micro- e nano-elettronica, con una chiara identificazione degli obiettivi di breve, medio e lungo periodo. 




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