IUNET
Ricerca
Sedi Consorziate
Statuto e Regolamento
Trasparenza
News
Eventi
Contatti
English version
III-V-MOS







III-V-MOS: Technology CAD for III-V Semiconductor-based MOSFETs.

Coordinatore: Prof. Luca Selmi (IU.NET).

Durata: 01/11/2013 - 31/10/2016
Finanziamento:
2.900.000 (quota IU.NET 642.000).
Partecipanti: Synopsys (Zurich, CH), IBM (Zurich, CH), Global Foundries (Dresden, D), IMEC (Leuven, BE), Quantumwise (Copenhagen, DE), ETH (Zurich, CH) e IU.NET.
UnitÓ IUNET coinvolte: UniversitÓ di Bologna, Modena e Reggio-Emilia, Udine. Il Responsabile scientifico interno Ŕ il Prof. David Esseni.
Descrizione: il progetto riguarda lo sviluppo di strumenti TCAD per la simulazione numerica di dispositivi CMOS basati su materiali III-V, il cui impiego Ŕ potenzialmente previsto nel prossimo futuro per applicazioni high performance. L'obiettivo del progetto Ŕ quello di sviluppare, validare e trasferire all
'Industria accurati modelli fisici e nuove metodologie di simulazione, che consentano di prevedere i complessi meccanismi quantistici e le proprietÓ di trasporto quasi-balistico, che influenzano il comportamento dei dispositivi a dimensione nanometrica basati su semiconduttori III-V. 



E2SWITCH




E2SWITCH: Energy-Efficient Tunnel FETs Switches and Circuits

Coordinatore: Prof. Adrian Ionescu (EPFL)

Durata: 01/11/2013 - 30/04/2017
Finanziamento: € 4.374.000 (quota IU.NET
€. 350.000)
Partecipanti: EPFL (Lau-sanne, CH), IBM (Zurich, CH), IMEC (Leuven, BE), Julich Research Center (Julich D), ETH (Zurich, CH), Cambridge CMOS Sensors (Cambridge, UK), SCIPROM, (Lausanne, CH) e IUNET.
UnitÓ IUNET coinvolte: UniversitÓ di Bologna e Udine. Il Responsabile scientifico interno Ŕ il Prof. Pierpaolo Palestri.
Descrizione: il progetto riguarda lo sviluppo di dispositivi e circuiti basati su Tunnel FET (TFET), e persegue l
obiettivo di ottimizzare tali dispositivi utilizzando due piattaforme tecnologiche, basate su SiGe-Ge e su semiconduttori III-V, con compatibilitÓ tecnologica CMOS.



GRADE





GRADE: Graphene-based devices and Circuits for RF Applications

Coordinatore: Prof. Max Lemme (UniversitÓ di Siegen)

Durata: 01/10/2012 - 30/09/2015
Finanziamento:
€. 3.651.000 (quota IU.NET €.
603.000)
Partecipanti: l
UniversitÓ di Siegen, (Siegen, D), KTH (Stoccolma, S), Infineon Technologies (Regensburg, D), IHP (Frankfurt Oder, D), IEMN (Lille, F), lUniversitÓ
di Bordeaux (Bordeaux, F) e IUNET.
UnitÓ IU.NET coinvolte: UniversitÓ di Bologna, Pisa e Udine. Il Responsabile scientifico interno Ŕ il Prof. Giuseppe Iannaccone.
Descrizione: l'obiettivo progettuale Ŕ lo sviluppo dei dispositivi in grafene, di tipo sia G-FET che GBT, per applicazioni analogiche ad altissime frequenze.



Site Map